【48812】北方华创“一种集成电路的制作工艺”专利获授权

  天眼查显现，北京北方华创微电子配备有限公司近来获得一项名为“一种集成电路的制作工艺”的专利，授权公告号为CN113506731B，授权公告日为2024年7月23日，申请日为2016年10月8日。

  公开了一种集成电路的制作工艺，包含：去除晶片上的二氧化硅的办法，该办法可包含：向工艺腔室内通入脱水的氟化氢气体和脱水的醇类气体；使所述脱水的氟化氢气体和脱水的醇类气体混合，生成气态的刻蚀剂；使所述刻蚀剂与所述工艺腔室内的晶片反响，并使所述工艺腔室内坚持高压状况以进步刻蚀挑选比；以及将所述反响的副产品从所述工艺腔室内抽出。依据本发明的集成电路的制作工艺中，去除晶片上的二氧化硅的办法经过使气态的刻蚀剂在高压力下与二氧化硅直接反响，并在反响后将反响产品抽出，完成高挑选比、高效率地去除二氧化硅。

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