多个百亿级半导体项目公布最新进展！

  半导体产业网获悉：近日，士兰集宏8英寸碳化硅项目、全芯微集成电路封测项目、先导稀材项目、芯力科异质异构集成高精度键合成套装备研发与应用项目、科为创芯集成电路封装测试项目、利普思车规级第三代功率半导体模块项目、越好半导体显示装备及关键零部件制造基地项目、安意法半导体重庆8英寸碳化硅项目等项目迎来新进展。详情如下：

  据海沧区融媒体中心消息，士兰微电子旗下厦门士兰集宏半导体有限公司的8英寸碳化硅（SiC）功率器件芯片制造生产线项目正式全面封顶。

  据悉，士兰集宏项目总投资120亿元，分两期建设，总建筑面积达23.45万㎡。其中，一期投资70亿元，预计2025年四季度初步通线年一季度试生产，达产后年产能42万片8英寸SiC芯片。二期投产后总产能将提升至72万片/年，成为全世界规模领先的8英寸SiC功率器件产线，项目以SiC MOSFET为核心产品，主要服务于新能源汽车主驱逆变器、光伏逆变器、智能电网等高需求领域。

  士兰微电子董事会秘书、副总裁陈越表示，总投资70亿元的一期项目，将尽最大努力争取在今年年底实现初步通线英寸SiC功率器件芯片的生产能力。较好地满足国内新能源汽车所需的碳化硅芯片需求，并有能力向功率逆变产品提供高性能的碳化硅芯片，同时促进国内8英寸碳化硅衬底及相关工艺装备的协同发展。

  据介绍，士兰集宏项目全面达产后，预计年产值超120亿元，可满足国内40%以上的车规级SiC芯片需求，并带动上下游产业链集聚厦门，加速第三代半导体材料、设备国产化进程。此外，士兰微已实现第Ⅳ代SiC MOSFET芯片量产，其主驱模块已获国内知名车企批量采购，技术实力进一步巩固。

  位于延吉高新技术产业开发区的延边州首个芯片封测项目——全芯微集成电路封测项目正在紧张有序续建中，预计今年4月份完成部分生产线调试，并进行试生产。该项目厂区面积2.2万平方米，目前生产区、办公区等已建设完毕，工人们正在进行基础设施完善、内部装修、设施安装等工作。38台精密设备已于1月份就位，只待上线调试。

  据了解，芯片的生产流程大致上可以分为三部分，设计—制造—封测，该项目就是参与了封测这一环节。“项目主要是做芯片的封装与测试，用于智能手机、家电、LED灯等各领域。达产后，预计年产值2.25亿元，年纳税2580万元。”高新区企业服务局副局长罗聪介绍，该项目总投资3.2亿元，于2024年上半年开工。4月份投入试生产后，通过校企合作的途径，与延边州内的院校开展产学研合作，其中一期项目约解决200人就业。

  武汉东湖综保区先导稀材项目现场却热火朝天，500多名工人穿梭于钢筋水泥之间，砌体施工、二次结构作业等同步推进。

  作为填补光谷半导体上游材料空白的“关键拼图”，这座计划投资120亿元的产业“巨无霸”正以肉眼可见的速度快速生长。该项目涵盖生产车间、研发中心、办公楼及配套设施，预计3月中旬可实现全部封顶，年底前完成设施安装并交付投产。

  速度，是先导稀材项目的关键词。从2024年3月签约落户，到同年7月底实质开工，再到当前冲刺封顶，“光谷速度”的背后是政企协同的强力支撑。项目负责人熊威回忆，“五证”材料提交当天，园区直接启动并联审批，4个月实现从签约到开工，比常规流程缩短了一半时间。

  当前国产光通信、射频芯片正处于上升期，武汉及周边相关生态集聚度高，对砷化镓、磷化铟等化合物半导体材料需求极大，而先导科技是全球最大稀散金属生产企业，砷化镓衬底材料出货量全球第一。项目投产后，将年产高端化合物半导体衬底材料数十万片，可补足本地芯片产业链的上游短板，并有望助力武汉企业尽早抢占市场优势，带动周边产业链共享发展先机。

  2月27日，武汉芯力科技术有限公司（以下简称“芯力科”）与东湖高新区正式签约，一项备受瞩目的项目——异质异构集成高精度键合成套装备研发与应用项目将在光谷这片创新热土上落地生根。

  此次芯力科选择在光谷布局异质异构集成高精度键合成套装备研发与应用项目，具有深远的战略意义。光谷作为武汉乃至全国的科学技术创新高地，拥有丰富的科研资源、完善的产业生态和大量的专业人才。芯力科依托光谷的优势资源，有望加速异质异构集成高精度键合成套装备的研发进程，推动有关技术的产业化应用。

  该项目的落地，不仅是芯力科自身发展的重要里程碑，也将为东湖高新区的半导体产业注入新的活力。未来，随着项目的逐步推进，有望在光谷形成新的产业增长点，助力我国在半导体先进封装技术领域取得更大突破，提升我国在全球半导体产业中的竞争力。

  科为创芯集成电路封装测试项目利用收储的成熟地块，实现从洽谈到开工仅用100天，项目的成功落地，标志着清江浦新一代信息技术与半导体产业再添“生力军”，必将为清江浦“全市当第一、建成千亿区”奠定更加坚实的基础。

  据了解，项目计划总投资10亿元，其中一期投资5亿元，占地约30亩，规划建筑面积约3.8万平方米，建设集成电路封装测试生产线厂房、研发中心、综合楼及相关配套设施，项目一期全部达产后预计可实现年开票销售5亿元。

  3月1日，江都区重点项目建设动员会暨利普思车规级第三代功率半导体模块项目开工活动在开发区举行。

  当天开工的利普思车规级第三代功率半导体模块项目总投资10亿元，占地32亩，项目建成后可实现年产车规级SiC模块300万只，年出售的收益10亿元，年税收5000万元。

  利普思是一家专注于SiC功率半导体模块设计、生产、销售的高科技企业。公司汇集了海内外经验比较丰富的专业人才，使用先进的封装材料以及封装技术，致力于为电力电子逆变器的小型化、高效化和轻量化，提供完整的模块应用解决方案，满足高性能、高可靠性的新能源汽车及高端工业领域功率半导体模块需求。

  利普思在无锡和日本设有研发中心和试制中心，并建有先进的可靠性实验室、FA实验室、应用测试实验室，具备完善的验证、检验测试能力，也通过了汽车IATF16949质量体系认证。第三代功率半导体封装技术在全球属于领先水平。随着SiC上游材料和器件的成本降低，下游应用目前还处于加快速度进行发展期，产业规模持续增长。目前公司全系列SiC和IGBT模块产品已大范围的应用于新能源汽车、电动重卡、超级充电桩、储能、氢能、光伏、风力发电及电网等领域，部分产品已经销售至欧洲和北美。

  2月26日上午，越好半导体显示装备及关键零部件制造基地项目开工仪式在安徽滁州隆重举行。滁州市市委书记吴劲，市委副书记、市长等相关领导共同出席仪式。新基地的开工建设，标志着越好电子在扩充生产规模、优化产业布局、提升市场竞争力等方面迈上了新台阶。

  越好电子是一家专注于半导体显示领域的高端真空解决方案供应商，为全球客户提供一流的真空镀膜设备、关键零部件及技术服务。近三年，公司营收实现年均增长50%以上。公司将以此次奠基仪式为起点，加快项目建设，力争早日投产，推动企业持续加快速度进行发展，同时为地方经济发展做出积极贡献。

  越好半导体显示装备及关键零部件制造基地项目位于滁州市南谯经济开发区，一期项目占地124亩，建筑面积约10万平方米，规划建设智能化生产车间、研发中心及配套基地。项目建成后,可为客户提供国际领先水平的国产化半导体显示真空镀膜解决方案,设备产品系列包括：高世代显示用溅射镀膜设备，光罩掩膜版镀膜设备，卷对卷磁控溅射镀膜设备，原子层沉积设备，In-line磁控光学镀膜设备，以及半导体先进封装TGV镀膜设备。

  8、三安与意法半导体重庆8英寸碳化硅项目正式通线日，三安光电与意法半导体在重庆合资设立的安意法半导体碳化硅晶圆厂正式通线。

  为配套这一项目，三安光电于2023年7月全资设立重庆三安半导体有限责任公司，在同一园区规划投资70亿元，建设一条年产48万片的8英寸碳化硅衬底生产线月通线投产。

  2月26-28日，2025功率半导体制造及供应链高峰论坛在重庆大召开。组委会有序组织参会代表实地参观考察安意法半导体、华润微，深入发掘合作机会，共赢发展。